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37、信号发生器输出CMOS电平为()伏。
A。
什么是TTL电平，CMOS电平？区别
是场效应管构成(单极性电路)，TTL为双极晶体管构成（双极性电路） 的逻辑电平范围比较大（5～15V），TTL只能在5V下工作 的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强，TTL则相差小，抗干扰能力差功耗很小，TTL功耗较大（1～5mA/门）的工作频率较TTL略低，但是高速CMOS速度与TTL差不多相当 的噪声容限比TTL噪声容限大7.通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。
影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻阻数值。
电阻数值越大，工作速度越低。
管子的开关时间越长，门的工作速度越低。
门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。
将tpd与空载功耗P的乘积称为“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指标，其值越小，表明器件的性能越好（一般约为几十皮（10-12）焦耳）。
与TTL门电路的情况不同，影响CMOS电路工作速度的主要因素在于电路的外部，即负载电容CL。
CL是主要影响器件工作速度的原因。
由CL所决定的影响CMOS门的传输延时约为几十纳秒。
电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
希望采纳。
TTL和CMOS的高电平和低电平范围分别是什么？
TTL集成电路使用TTL管，也是PN结。
功耗较大，驱动能力强，一般工作电压+5VCMOS集成电路使用MOS管，功耗小，工作电压范围很大，一般速度也低，但是技术在改进，这已经不是问题。
TTL与CMOS电平来讲，前者属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是为输出高电平。
而CMOS电平不同了，他的阀值电压比TTL电平大很多。
而串口的传输电压都是以COMS电压传输的。
1，TTL电平：输出高电平>,输出低电平是。
小输入高电平和低电平：输入高电平>=，输入低电平。
2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
ttl和cmos的区别
TTL和CMOS都是电平的种类，那么两者又存在哪些区别呢？下面我们来一起了解一下。
请点击输入图片描述TTL，全称为“Transistor Transistor Logic”；CMOS，是“Complementary metal oxide semiconductor”的缩写，所以两者从定义上来看有所不同。
再来比较电平电压和噪音容限来看，从输出电压来说，TTL电平电压不低于,电压不高于，一般在室温下，高电压为，输出低电压为。
从输入电压来说，TTL电平高电压则不低于，低电压不高于，噪声容限为；而对于CMOS电平来说，单位数值的逻辑电平电压与电源电压等同，它的噪声容限和TTL电瓶也不同，容限很大，一般不计具体数值。
请点击输入图片描述其次是关于TTL电平和CMOS电平电路的区别。
TTL电平和CMOS电平受控制的因素不一样，TTL电平是受电流控制的器件，而CMOS电平是受电压控制的器件，也正因为如此，两者在传输速度和功耗方面差别也很大。
TTL电平的电路要比CMOS电平的电路快得多，传输延迟仅在5-10ns，而CMOS的传输延迟要高达25-50ns，因此它的功率要比TTL电平电路的功率高，发热也更厉害。
cmos的逻辑电阻电平是多少？
CMOS电平逻辑电平电压接近于电源电压，0 逻辑电平接近于 0V。
而且具有很宽的噪声容限。
TTL电平和CMOS电平总结 1，TTL电平： 输出高电平>,输出低电平<。
在室温下，一般输出高电平是，输出低电平是。
小输入高电平和低电平：输入高电平>=，输入低电平<=，噪声容限是。
2，CMOS电平： 1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。
而且具有很宽的噪声容限。
3，电平转换电路： 因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5v<＝＝>cms ），所以互相连接时需要电平的转换4，OC门，即集电极开路门电路。